ДРАМ МОДУЛЕ
Основана 2008. године, наша групација је била у области ОЕМ флеш меморије скоро 15 година, ОЕМ ДРАМ модул, ОЕМ ССД, ОЕМ УСБ ФЛАСХ ДРИВЕ, ОЕМ ТФ КАРТИЦА, као професионални добављач ОЕМ флеш меморије, концентрисали смо се на пружање услуга купцима великих брендова , главни трговци и дистрибутери у земљи. Да бисмо боље подржали трговце и дистрибутере у земљи, имамо редовну готову робу и у Хонг Конгу и у Шенжену, продали смо више од милион комада сваког месеца.
Углавном подржавамо ДДР3, ДДР4 за купце који такође послују са ССД дисковима, за клијенте бренда или фабрике рачунара, такође имамо ЛПДДР који сада подржава само главне кориснике мобилних телефона и ИПАД-а у Кини и неке купце паметних сатова. Са својим високим перформансама и мањом потрошњом, добар је за мале паметне уређаје.
Драм/ЛПДДР технички параметар:
ПРОИЗВОД КАТЕГОРИЈА | СПЕЦИФИКАЦИЈА / | ГУСТИНА | ПАКЕТ | ОПЕРАТИВНИ |
ДРАМ | ДРАМ Д3 | 2Гб / 4Гб | ФБГА 96 лопта | 25 степени ~85 степени |
ДРАМ Д4 | 4Гб / 8Гб | ФБГА 96 лопта | ||
ДРАМ модул | У-ДИММ | 4ГБ / 8ГБ / 16ГБ/32ГБ | / | 0 степен - 85 степен |
СО-ДИММ | ||||
Р-ДИММ | 8ГБ/16ГБ/32ГБ | / | 0 степен - 85 степен | |
ЛПДДР | ЛП ДДР4 | 2ГБ / 3ГБ / 4ГБ / 6ГБ / 8ГБ | 200Балл | 0 степен - 70 степен |
Спецификације:
Модел производа бр. | Спецификација | Густина | Димензија | Пакет |
ДРАМ У-ДИММ | 8ГБ Кс8/Кс16 | 8ГБ | 7,5 к 13,3 мм | 78Балл/96Балл |
ДРАМ У-ДИММ | 16ГБ Кс8/Кс16 | 16ГБ | 10,3 к 11 мм | 78Балл/96Балл |
ДРАМ У-ДИММ | 32ГБ Кс8/Кс16 | 32ГБ | 10,3 к 11 мм | 78Балл/96Балл |
Доступни модул:
Број дела 1) | Густина | Организација | Цомпонент Цомпоситион | Број | Висина |
4ГБ УДИММ | 4ГБ | 512Мк64 | 512Мк16 * 4 | 1 | 31,25 мм |
8ГБ УДИММ | 8ГБ | 1Гк64 | 1Гк8 * 8 | 1 | 31,25 мм |
16ГБ УДИММ | 16ГБ | 2Гк64 | 1Гк8 * 16 | 2 | 31,25 мм |
4ГБ СОДИММ | 4ГБ | 512Мк64 | 512Мк16 * 4 | 1 | 30 мм |
8ГБ СОДИММ | 8ГБ | 1Гк64 | 1Гк8 * 8 | 1 | 30 мм |
16ГБ СОДИММ | 16ГБ | 2Гк64 | 1Гк8 * 16 | 2 | 30 мм |
БЕЛЕШКА:
1) (2133 Мбпс 15-15-15) / (2400 Мбпс 17-17-17) / (2666 Мбпс 19-19-19) / (3200 Мбпс 22-22-22) / (3200 Мбпс 16-18-18) - ДДР{ {12}}(3200 Мбпс 16-18-18) је компатибилан уназад са нижом фреквенцијом.
КЉУЧНЕ КАРАКТЕРИСТИКЕ
Брзина | ДДР4-2133 | ДДР4-2400 | ДДР4-2666 | ДДР4-3200 | ДДР4-3200 | ДДР4-3200 | Јединица |
15-15-15 | 17-17-17 | 19-19-19 | 22-22-22 | 19-19-19 | 16-18-18 | ||
тЦК(мин) | 0.938 | 0.833 | 0.75 | 0.625 | 0.625 | 0.625 | нс |
ЦАС Латенци | 15 | 17 | 19 | 22 | 19 | 16 | нЦК |
тРЦД (мин) | 14.06 | 14.16 | 14.25 | 13.75 | 11.875 | 11.25 | нс |
тРП(мин) | 14.06 | 14.16 | 14.25 | 13.75 | 11.875 | 11.25 | нс |
тРАС(мин) | 33 | 32 | 32 | 32.5 | 30.0 | 22.5 | нс |
тРЦ(мин) | 47.06 | 46.16 | 46.25 | 46.25 | 41.875 | 33.75 | нс |
●ЈЕДЕЦ стандард 1.2В ± 0.06В напајање
●VДДК= 1.2V ± 0.06 V
●1067МХз фЦКза 2133Мб/сец/пин, 1200МХз фЦКза 2400Мб/сец/пин 1333МХз фЦК за 2666Мб/сец/пин, 1600МХз фЦК за 3200Мб/сец/пин
●16 банака (4 групе банака)
●Програмабилно кашњење ЦАС-а: 10 ,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,21, 22
●Програмабилна адитивна латенција (објављен ЦАС): 0, ЦЛ - 2 или ЦЛ - 1 сат
●Програмабилно кашњење ЦАС писања (ЦВЛ)=11,14 (ДДР4-2133), 12,16 (ДДР4-2400) и 14,18 (ДДР4- 2666) • Дужина рафала : 8, 4 са тЦЦД=4 који не дозвољава беспрекорно читање или писање [било у покрету користећи А12 или МРС]
●Би-дирецтионал Дифферентиал Дата Стробе
●Он Дие Терминатион користећи ОДТ пин
●Просечан период освежавања 7,8ус на нижим од ТЦАСЕ 85Ц, 3,9ус на 85Ц < ТЦАСЕ 95Ц
●Асинхроно ресетовање
ФУНКЦИОНАЛНИ БЛОК ДИЈАГРАМ за:
4ГБ, 512М к 64Модуле (Попуњено као 1 ранг к16ДДР4 СДРАМ-а)
БЕЛЕШКА :
1) Осим ако није другачије назначено, вредности отпорника су 150Ω 5 процената.
2) ЗК отпорници су 2400Ω 1 проценат. За све остале вредности отпорника погледајте одговарајућу шему ожичења.
8ГБ, 1Гк64Модуле (попуњено као 1 ранг од к 8ДДР4 СДРАМ-а)
Popularne oznake: драм модул, велепродаја, цена, расути, ОЕМ
Pošalji upit
